参考まで
部品番号 | RM15P55LD |
LIXINC Part # | RM15P55LD |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CHANNEL 55V 15A TO252-2 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM15P55LD PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RM15P55LD |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 15A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 75mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1450 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 35W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252-2 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
STB35N65M5 | MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK | 1780 注文の詳細 |
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IXFH40N85X | MOSFET N-CH 850V 40A TO247 | 968 注文の詳細 |
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IRFIBE20GPBF | MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3 | 1463 注文の詳細 |
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IRFB3077PBF | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB | 8828 注文の詳細 |
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FDN361BN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 | 9060 注文の詳細 |
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SIHH068N60E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8 | 3527 注文の詳細 |
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TPN2010FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON | 3109 注文の詳細 |
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NTTFS4821NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN | 13109 注文の詳細 |
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BSC0996NSATMA1 | MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5 | 5832 注文の詳細 |
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NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 | 8666 注文の詳細 |
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ATP404-TL-H | MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK | 7907 注文の詳細 |
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AON6407 | MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN | 2024 注文の詳細 |
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BSZ068N06NSATMA1 | BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | 232063 注文の詳細 |
在庫あり | 10989 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.28000 | $0.28 |
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