参考まで
部品番号 | NTZS3151PT1H |
LIXINC Part # | NTZS3151PT1H |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTZS3151PT1H PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTZS3151PT1H |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 860mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 5.6 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 458 pF @ 16 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 170mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-563-6 |
パッケージ・ケース: | SOT-563, SOT-666 |
NVR5198NLT3G | MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 | 1022 注文の詳細 |
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BSP716NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4 | 2849 注文の詳細 |
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IXFH170N25X3 | MOSFET N-CH 250V 170A TO247 | 1080 注文の詳細 |
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SSM3K341TU,LF | MOSFET N-CH 60V 6A UFM | 11495 注文の詳細 |
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SQJA34EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | 1918 注文の詳細 |
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FDFS2P102A | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC | 194670 注文の詳細 |
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IRFR120NTRRPBF | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK | 840 注文の詳細 |
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IPB60R299CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 884 注文の詳細 |
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SIHF540S-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 829 注文の詳細 |
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FDS6673BZ-F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC | 965 注文の詳細 |
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IPP100N04S2L03AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | 13759 注文の詳細 |
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FDP33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 | 1996 注文の詳細 |
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SI2300-TP | MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23 | 4938 注文の詳細 |
在庫あり | 160895 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.08000 | $0.08 |
8000 | $0.08000 | $640 |
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