参考まで
| 部品番号 | IPB60R299CP |
| LIXINC Part # | IPB60R299CP |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPB60R299CP PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPB60R299CP |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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SIHF540S-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 800 注文の詳細 |
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FDS6673BZ-F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC | 986 注文の詳細 |
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IPP100N04S2L03AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | 13671 注文の詳細 |
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FDP33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 | 2115 注文の詳細 |
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SI2300-TP | MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23 | 4946 注文の詳細 |
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STW56N65M2-4 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L | 995 注文の詳細 |
 |
TBB1004DMTL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 42882 注文の詳細 |
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IRFR1N60APBF-BE3 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | 3909 注文の詳細 |
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AUIRFS3607TRL | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 9615 注文の詳細 |
 |
SI3430DV-T1-BE3 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP | 3793 注文の詳細 |
 |
SI2301CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 853 注文の詳細 |
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STW68N60M6-4 | MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4 | 916 注文の詳細 |
 |
FQPF5N60C | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F | 2863841 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10807 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.16000 | $1.16 |
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