参考まで
| 部品番号 | RFD20N03 |
| LIXINC Part # | RFD20N03 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RFD20N03 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RFD20N03 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
SIHB33N60ET5-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | 812 注文の詳細 |
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TSM2318CX RFG | MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 | 23465 注文の詳細 |
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SPP20N60S5XKSA1 | HIGH POWER_LEGACY | 1219 注文の詳細 |
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SI2369DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 | 14501 注文の詳細 |
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PMPB07R3ENX | PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- | 907 注文の詳細 |
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SQ4425EY-T1_BE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC | 3378 注文の詳細 |
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IRF7204TRPBF | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO | 1640 注文の詳細 |
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IXTP220N04T2 | MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB | 875 注文の詳細 |
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IRLR014TRL | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 866 注文の詳細 |
 |
STW14NK50Z | MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 | 1370 注文の詳細 |
 |
AO4405E | MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC | 816 注文の詳細 |
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SIHD2N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK | 890 注文の詳細 |
 |
STB80NF03L-04-1 | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 997 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11382 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.37000 | $0.37 |
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