参考まで
部品番号 | SIHD2N80E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHD2N80E-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHD2N80E-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIHD2N80E-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 19.6 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 315 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 62.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-PAK (TO-252AA) |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
STB80NF03L-04-1 | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 921 注文の詳細 |
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SFP9Z14 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 886 注文の詳細 |
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IRF4905PBF | MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB | 6886 注文の詳細 |
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IPD50N03S2L06ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 | 856 注文の詳細 |
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CSD22204WT | MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA | 7055 注文の詳細 |
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NX7002BKWX | MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323 | 1293 注文の詳細 |
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STU5N62K3 | MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK | 800 注文の詳細 |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 | 3832 注文の詳細 |
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FQD20N06TF | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | 964 注文の詳細 |
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STF28N65M2 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP | 904 注文の詳細 |
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PSMN7R8-100PSEQ | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | 4711 注文の詳細 |
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STD6N62K3 | MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK | 6763 注文の詳細 |
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IRF7607TRPBF | IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW | 19611 注文の詳細 |
在庫あり | 10986 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.49000 | $1.49 |
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