参考まで
部品番号 | BSP88L6327HTSA1 |
LIXINC Part # | BSP88L6327HTSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP88L6327HTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BSP88L6327HTSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 240 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 350mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6Ohm @ 350mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.4V @ 108µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.8 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 95 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.7W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
NTTFS4930NTAG | MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN | 127332384 注文の詳細 |
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TK8A10K3,S5Q | MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS | 1014 注文の詳細 |
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IRFU220BTU-AM002 | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 11050 注文の詳細 |
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IPP048N04NGXKSA1 | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 | 845 注文の詳細 |
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IXFT36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO268 | 3446 注文の詳細 |
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BSS192,135 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 23848 注文の詳細 |
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IRLR9343TRPBF | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | 987 注文の詳細 |
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SI3433CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | 1400 注文の詳細 |
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BUK9M35-80EX | MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33 | 810 注文の詳細 |
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SI4114DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 20A 8SO | 420152 注文の詳細 |
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FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC | 17642 注文の詳細 |
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TK25E60X5,S1X | MOSFET N-CH 600V 25A TO220 | 969 注文の詳細 |
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AOD9T40P | MOSFET N-CH 400V 6.6A TO252 | 815 注文の詳細 |
在庫あり | 10949 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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