参考まで
| 部品番号 | IPD50N04S308ATMA1-INF |
| LIXINC Part # | IPD50N04S308ATMA1-INF |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPD50N04S308ATMA1-INF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPD50N04S308ATMA1-INF |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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APT30M19JVFR | MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP | 837 注文の詳細 |
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SKI06106 | MOSFET N-CH 60V 57A TO263 | 901 注文の詳細 |
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IXTH80N075L2 | MOSFET N-CH 75V 80A TO247 | 1502 注文の詳細 |
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DMG4413LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP | 1447 注文の詳細 |
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FQB22P10TM | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK | 3243 注文の詳細 |
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SFT1458-TL-H | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA | 146797 注文の詳細 |
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IRF1310NSPBF | HEXFET POWER MOSFET | 801 注文の詳細 |
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IRFR214BTFFP001 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 952 注文の詳細 |
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NVTFS4824NTAG | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN | 822 注文の詳細 |
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FQB16N25CTM | MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK | 1802 注文の詳細 |
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FDMC86160ET100 | MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33 | 3066 注文の詳細 |
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IXFH80N65X2 | MOSFET N-CH 650V 80A TO247 | 3139 注文の詳細 |
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SUP40010EL-GE3 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | 1236 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10914 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
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