参考まで
部品番号 | PMV28UN,215 |
LIXINC Part # | PMV28UN,215 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMV28UN,215 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | PMV28UN,215 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 32mOhm @ 3.3A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 270µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 9 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 470 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 380mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-236AB (SOT23) |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SPP80N06S2L-09 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 879 注文の詳細 |
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IPD60R210PFD7SAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO252-3 | 3169 注文の詳細 |
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IPZA60R045P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3 | 804 注文の詳細 |
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NTD4N60T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 25934 注文の詳細 |
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RFD16N05SM | MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA | 11837 注文の詳細 |
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IPB090N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 974 注文の詳細 |
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FDB0165N807L | MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 | 1518 注文の詳細 |
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NTF3055-160T3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7100 注文の詳細 |
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FDFC3N108 | MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6 | 99346 注文の詳細 |
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STI150N10F7 | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 959 注文の詳細 |
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CPH3461-TL-W | MOSFET N-CH 250V 350MA 3CPH | 1222 注文の詳細 |
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IXFT50N50P3 | MOSFET N-CH 500V 50A TO268 | 4551 注文の詳細 |
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IPD25CN10NGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | 1914 注文の詳細 |
在庫あり | 17505 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.10000 | $0.1 |
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