IMBF170R450M1XTMA1

IMBF170R450M1XTMA1
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部品番号 IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part # IMBF170R450M1XTMA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IMBF170R450M1XTMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IMBF170R450M1XTMA1 仕様

部品番号:IMBF170R450M1XTMA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:CoolSiC™
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:9.8A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):12V, 15V
(最大) @ id、vgs の rds:450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (最大) @ ID:5.7V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:11 nC @ 12 V
vgs (最大):+20V, -10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:610 pF @ 1000 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):107W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TO263-7
パッケージ・ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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