参考まで
| 部品番号 | RQ6C065BCTCR |
| LIXINC Part # | RQ6C065BCTCR |
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RQ6C065BCTCR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RQ6C065BCTCR |
| ブランド: | ROHM Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.5A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 21mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 1.2V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 22 nC @ 4.5 V |
| vgs (最大): | ±8V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1520 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 1.25W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT6 (SC-95) |
| パッケージ・ケース: | SC-95-6 |
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APT60N60SCSG/TR | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | 988 注文の詳細 |
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IXTQ30N60L2 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | 4058 注文の詳細 |
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SI3442BDV-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP | 8998 注文の詳細 |
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TPH5200FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP | 6905 注文の詳細 |
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STD47N10F7AG | MOSFET N-CH 100V 45A DPAK | 835 注文の詳細 |
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NTD24N06T4G | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 885 注文の詳細 |
 |
SUD08P06-155L-BE3 | MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK | 2980 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10855 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.73000 | $0.73 |
| 3000 | $0.26765 | $802.95 |
| 6000 | $0.25842 | $1550.52 |
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