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部品番号 | SI7114DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI7114DN-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI7114DN-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI7114DN-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11.7A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.5mOhm @ 18.3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 19 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
AUIRF1010Z | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 17398 注文の詳細 |
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STWA30N65DM6AG | MOSFET N-CH 650V 28A TO247 | 1015 注文の詳細 |
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SIRA64DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | 6108 注文の詳細 |
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TK3A65DA(STA4,QM) | MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS | 982 注文の詳細 |
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IPW60R099P6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 | 970 注文の詳細 |
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FDN363N | N-CHANNEL POWER MOSFET | 66986 注文の詳細 |
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DI100N10PQ | MOSFET N-CH 100V 100A 8QFN | 859 注文の詳細 |
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IXFB50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 | 996 注文の詳細 |
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GKI06071 | MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN | 945 注文の詳細 |
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TPN11006NL,LQ | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | 9209 注文の詳細 |
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SI7806ADN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 | 3336 注文の詳細 |
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IXTH11P50 | MOSFET P-CH 500V 11A TO247 | 1074 注文の詳細 |
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AOTF12T50PL | MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F | 834 注文の詳細 |
在庫あり | 10943 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.75291 | $0.75291 |
3000 | $0.75291 | $2258.73 |
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