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| 部品番号 | IRF1310NSPBF-INF |
| LIXINC Part # | IRF1310NSPBF-INF |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | HEXFET POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRF1310NSPBF-INF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRF1310NSPBF-INF |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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SI3493BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP | 2212 注文の詳細 |
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2SJ652-1E | MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG | 984 注文の詳細 |
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IRFB52N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB | 1122 注文の詳細 |
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SI3129DV-T1-GE3 | P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP | 1003 注文の詳細 |
 |
STL6P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT | 3929 注文の詳細 |
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IPB054N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | 965 注文の詳細 |
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IPD068N10N3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 | 12053 注文の詳細 |
 |
SIHG30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | 1399 注文の詳細 |
 |
RTF010P02TL | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3 | 927 注文の詳細 |
 |
TK11A45D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS | 801 注文の詳細 |
 |
AOT10N65 | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 813 注文の詳細 |
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IPW60R299CPFKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | 812 注文の詳細 |
 |
NTD4809NHT4G | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK | 199942 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10882 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.53000 | $0.53 |
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