参考まで
部品番号 | SQJ858AEP-T1_BE3 |
LIXINC Part # | SQJ858AEP-T1_BE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SQJ858AEP-T1_BE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SQJ858AEP-T1_BE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 58A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2450 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 48W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SO-8 |
IPB60R060C7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3 | 1455 注文の詳細 |
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AUIRL3705N | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 22890 注文の詳細 |
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NTD65N03R | MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK | 3250 注文の詳細 |
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STP13NK60ZFP | MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP | 844 注文の詳細 |
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IXFX100N65X2 | MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3 | 927 注文の詳細 |
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DMP3035LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP | 973 注文の詳細 |
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IPI80N04S204AKSA2 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | 19437 注文の詳細 |
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IXFH170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD | 897 注文の詳細 |
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NVMFS6B14NWFT1G | MOSFET N-CH 100V 5DFN | 45726 注文の詳細 |
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NVR5124PLT1G | MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 | 982 注文の詳細 |
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NTE4153NT1G | MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 | 865 注文の詳細 |
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AUIRF2903ZSTRL | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | 903 注文の詳細 |
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STD130N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | 912 注文の詳細 |
在庫あり | 13989 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.06000 | $1.06 |
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