参考まで
部品番号 | RM10N30D2 |
LIXINC Part # | RM10N30D2 |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 10A 6PQFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM10N30D2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RM10N30D2 |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 12mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1415 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 730mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-PQFN (2x2) |
パッケージ・ケース: | 6-WDFN Exposed Pad |
APT5018SFLLG/TR | MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK | 923 注文の詳細 |
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XP233N05013R-G | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3 | 3938 注文の詳細 |
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NVMFS5C670NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN | 934 注文の詳細 |
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PSMN3R4-30BL,118 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4642 注文の詳細 |
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IPT60R022S7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF | 2947 注文の詳細 |
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STD35NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | 9968 注文の詳細 |
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DMP4011SK3-13 | MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252 | 38409 注文の詳細 |
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STW20NK50Z | MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3 | 3431 注文の詳細 |
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IXFT170N25X3HV | MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV | 885 注文の詳細 |
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NVMFS5832NLT3G | MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN | 946 注文の詳細 |
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IRF8010STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 1714 注文の詳細 |
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STP315N10F7 | MOSFET N-CH 100V 180A TO220 | 980 注文の詳細 |
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IRFIBF30GPBF | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3 | 971 注文の詳細 |
在庫あり | 10932 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.07200 | $0.072 |
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