参考まで
部品番号 | IPLK80R1K2P7ATMA1 |
LIXINC Part # | IPLK80R1K2P7ATMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET 800V TDSON-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPLK80R1K2P7ATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPLK80R1K2P7ATMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | CoolMOS™ P7 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TDSON-8 |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
IRF6618TRPBF | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | 6789 注文の詳細 |
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STP40N60M2 | MOSFET N-CH 600V 34A TO220 | 1224 注文の詳細 |
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FDN340P | MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 | 24691 注文の詳細 |
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AUIRF7805Q | MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | 819 注文の詳細 |
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NTMFS4985NFT1G | MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN | 13789838 注文の詳細 |
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AOSS62934 | MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3 | 19285 注文の詳細 |
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RM4N650IP | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 | 981 注文の詳細 |
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NTHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 1374 注文の詳細 |
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PSMN021-100YLX | MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56 | 919 注文の詳細 |
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R6009KNJTL | MOSFET N-CH 600V 9A LPTS | 1342 注文の詳細 |
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RCD060N25TL | MOSFET N-CH 250V 6A CPT3 | 955 注文の詳細 |
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NVHL025N65S3 | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | 854 注文の詳細 |
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SQD50N04-5M6L_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | 2504 注文の詳細 |
在庫あり | 10828 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.60480 | $0.6048 |
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