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| 部品番号 | IPW65R190E6 |
| LIXINC Part # | IPW65R190E6 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPW65R190E6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPW65R190E6 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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PSMN009-100B,118 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 970 注文の詳細 |
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IXKC20N60C | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | 987 注文の詳細 |
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2SK1566-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3380 注文の詳細 |
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APT6038BFLLG | MOSFET N-CH 600V 17A TO247 | 860 注文の詳細 |
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FDG315N | 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET | 255851 注文の詳細 |
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IRF6706S2TR1PBF | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET | 1811 注文の詳細 |
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IPB65R310CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK | 13407 注文の詳細 |
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IRFB3256PBF | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | 1788 注文の詳細 |
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IRF1404LPBF | MOSFET N-CH 40V 162A TO262 | 7796 注文の詳細 |
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BSC028N06NSSCATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON | 4881 注文の詳細 |
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2SK3107-T1-A | MOSFET N-CH 30V 100MA SC75-3 USM | 9936 注文の詳細 |
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BSP171PH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 | 896 注文の詳細 |
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IPB049N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | 1765 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11366 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.73000 | $1.73 |
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