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部品番号 | RJK0329DPB-01#J0 |
LIXINC Part # | RJK0329DPB-01#J0 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RJK0329DPB-01#J0 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RJK0329DPB-01#J0 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 55A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.3mOhm @ 27.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5.33 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 60W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | LFPAK |
パッケージ・ケース: | SC-100, SOT-669 |
DMG6402LVT-7 | MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 | 31888 注文の詳細 |
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SFT1452-TL-W | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA | 7127 注文の詳細 |
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PSMN8R5-100ESQ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 2464 注文の詳細 |
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IRFH7446TRPBF | MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN | 15783 注文の詳細 |
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IRLR110 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | 926 注文の詳細 |
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AOB10N60L | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | 900 注文の詳細 |
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HUFA76413D3S | MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | 9229 注文の詳細 |
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IPW65R075CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 | 1068 注文の詳細 |
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TK065U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ | 4896 注文の詳細 |
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BSS138WH6433XTMA1 | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 | 1175 注文の詳細 |
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BSZ12DN20NS3G | BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P | 14420 注文の詳細 |
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IPD12CN10NGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 | 1477 注文の詳細 |
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MTD1312T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5451 注文の詳細 |
在庫あり | 22477 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.96000 | $0.96 |
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