参考まで
部品番号 | FDC655AN |
LIXINC Part # | FDC655AN |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDC655AN PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDC655AN |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 27mOhm @ 6.3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 830 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.6W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SuperSOT™-6 |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
STU13N65M2 | MOSFET N-CH 650V 10A IPAK | 3920 注文の詳細 |
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SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB | 1831 注文の詳細 |
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IXTA76P10T | MOSFET P-CH 100V 76A TO263 | 1757 注文の詳細 |
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BUK7E2R6-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | 17359 注文の詳細 |
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FQPF2P25 | MOSFET P-CH 250V 1.8A TO220F | 3250 注文の詳細 |
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SISS10ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK | 1383 注文の詳細 |
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STI16N65M5 | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK | 935 注文の詳細 |
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PMZB390UNE315 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 640877 注文の詳細 |
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2SK3454-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2068 注文の詳細 |
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IXTA120N04T2 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | 943 注文の詳細 |
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DMG7430LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | 876 注文の詳細 |
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IPI600N25N3GAKSA1 | MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 | 3370 注文の詳細 |
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SUD50N03-06AP-E3 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | 1847 注文の詳細 |
在庫あり | 300856 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.79000 | $1.79 |
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