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| 部品番号 | RM120N30DF |
| LIXINC Part # | RM120N30DF |
| メーカー | Rectron USA |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 30V 120A 8DFN |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RM120N30DF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RM120N30DF |
| ブランド: | Rectron USA |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rectron USA |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 2.35mOhm @ 60A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4200 pF @ 15 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 75W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-DFN (5x6) |
| パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
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STFU24N60M2 | MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP | 1861 注文の詳細 |
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APT60N60BCSG | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | 1059 注文の詳細 |
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FDD86102LZ | MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK | 10183 注文の詳細 |
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IPWS65R075CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 | 1056 注文の詳細 |
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IRFD320PBF | MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP | 939 注文の詳細 |
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SKP253VR | MOSFET N-CH 250V 20A TO263-3 | 967 注文の詳細 |
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BUK7219-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 55A DPAK | 902 注文の詳細 |
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SPW12N50C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4108 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10802 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.38000 | $0.38 |
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