参考まで
部品番号 | FQD630TM |
LIXINC Part # | FQD630TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 7A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD630TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD630TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 400mOhm @ 3.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 550 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IXTH240N15X4 | MOSFET N-CH 150V 240A TO247 | 200157 注文の詳細 |
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FDPF33N25TRDTU | MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F | 4993233 注文の詳細 |
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IRFR220TRRPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | 3735 注文の詳細 |
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STW8N90K5 | MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3 | 995 注文の詳細 |
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EMH1405-P-TL-H | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 | 48813 注文の詳細 |
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FDB86569-F085 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | 1489 注文の詳細 |
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HUF76132S3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10531 注文の詳細 |
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NTE222 | MOSFET N-CHANNEL 25V 50MA TO72 | 917 注文の詳細 |
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FQPF6N40CT | MOSFET N-CH 400V 6A TO220F | 1627 注文の詳細 |
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IPD50P04P4L11ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 | 3420 注文の詳細 |
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NTTFS4840NTAG | MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN | 5149 注文の詳細 |
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IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B | 1278 注文の詳細 |
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IRFH5302TRPBF | MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN | 946 注文の詳細 |
在庫あり | 10698 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.61000 | $0.61 |
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