SSM3K376R,LF

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部品番号 SSM3K376R,LF
LIXINC Part # SSM3K376R,LF
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SSM3K376R,LF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SSM3K376R,LF 仕様

部品番号:SSM3K376R,LF
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVII-H
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:4A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.8V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:56mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:2.2 nC @ 4.5 V
vgs (最大):+12V, -8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:200 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2W (Ta)
動作温度:150°C
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:SOT-23F
パッケージ・ケース:SOT-23-3 Flat Leads

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