NVMYS2D1N04CLTWG

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部品番号 NVMYS2D1N04CLTWG
LIXINC Part # NVMYS2D1N04CLTWG
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NVMYS2D1N04CLTWG PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMYS2D1N04CLTWG 仕様

部品番号:NVMYS2D1N04CLTWG
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:29A (Ta), 132A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2V @ 90µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:50 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:3100 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.9W (Ta), 83W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:LFPAK4 (5x6)
パッケージ・ケース:SOT-1023, 4-LFPAK

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