参考まで
| 部品番号 | H5N5016PL-E |
| LIXINC Part # | H5N5016PL-E |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | H5N5016PL-E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | H5N5016PL-E |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IPB020NE7N3GATMA1 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 985 注文の詳細 |
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IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | 924 注文の詳細 |
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RJK0301DPB-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 73932 注文の詳細 |
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AUIRFS8403 | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | 8245 注文の詳細 |
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FCD850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 5822 注文の詳細 |
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TSM60NB600CF C0G | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | 4519 注文の詳細 |
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STP60NF06L | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | 923 注文の詳細 |
 |
FDP045N10A | 120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL | 3781 注文の詳細 |
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RFD8P05SM | MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA | 2892 注文の詳細 |
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SIHB22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 1363 注文の詳細 |
 |
IPD40N03S4L08ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3-11 | 20330 注文の詳細 |
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BSC042N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON | 10628 注文の詳細 |
 |
SBVS138LT1G | MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23 | 21964 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11025 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $9.55000 | $9.55 |
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