PMXB360ENEAZ

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部品番号 PMXB360ENEAZ
LIXINC Part # PMXB360ENEAZ
メーカー Nexperia
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル PMXB360ENEAZ PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PMXB360ENEAZ 仕様

部品番号:PMXB360ENEAZ
ブランド:Nexperia
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Nexperia
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.7V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:4.5 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:130 pF @ 40 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:DFN1010D-3
パッケージ・ケース:3-XDFN Exposed Pad

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