参考まで
| 部品番号 | NTQS6463R2 |
| LIXINC Part # | NTQS6463R2 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NTQS6463R2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NTQS6463R2 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.8A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 20mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 900mV @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 50 nC @ 5 V |
| vgs (最大): | ±12V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 930mW (Ta) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-TSSOP |
| パッケージ・ケース: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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MSC040SMA120S | SICFET N-CH 1200V 64A TO268 | 821 注文の詳細 |
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DMN2013UFDE-7 | MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN | 828 注文の詳細 |
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ZXMN6A25N8TA | MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO | 27428 注文の詳細 |
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FDD86326 | MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK | 3916 注文の詳細 |
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APT37M100B2 | MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX | 944 注文の詳細 |
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IRF730BPBF | MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB | 888 注文の詳細 |
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CSD18511Q5AT | MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON | 1407 注文の詳細 |
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STP50N65DM6 | MOSFET N-CH 650V 33A TO220 | 927 注文の詳細 |
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IRLML5203TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 | 69217 注文の詳細 |
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IXFT50N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 50A TO268 | 885 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15962 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.40000 | $0.4 |
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