参考まで
部品番号 | NVB6411ANT4G |
LIXINC Part # | NVB6411ANT4G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NVB6411ANT4G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NVB6411ANT4G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 77A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 14mOhm @ 72A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 100 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3700 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 217W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK-3 |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDS6375 | MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC | 7831 注文の詳細 |
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IRF9317TRPBF | MOSFET P-CH 30V 16A 8SO | 813 注文の詳細 |
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IRF540STRRPBF | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 1478 注文の詳細 |
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NTMFS4C05NT1G | MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN | 942 注文の詳細 |
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IRFR024TRPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 2585 注文の詳細 |
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SFR2955TF | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2954 注文の詳細 |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220 | 1888 注文の詳細 |
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SCH2825-TL-E | MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH | 623597 注文の詳細 |
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APT6025SVRG | MOSFET N-CH 600V 25A D3PAK | 819 注文の詳細 |
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FDB15N50_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 993 注文の詳細 |
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NVMFS5C466NT1G | MOSFET N-CH 40V 15A/49A 5DFN | 12946 注文の詳細 |
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IRFIZ14GPBF | MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3 | 1936 注文の詳細 |
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SN7002WH6433XTMA1 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 50862 注文の詳細 |
在庫あり | 11774 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.58000 | $1.58 |
800 | $1.58000 | $1264 |
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