参考まで
部品番号 | NTMS3P03R2G |
LIXINC Part # | NTMS3P03R2G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTMS3P03R2G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTMS3P03R2G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.34A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 750 pF @ 24 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 730mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
BUK9Y19-55B,115 | MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 | 1435 注文の詳細 |
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IXTP20N65X | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | 868 注文の詳細 |
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IXTA15N50L2 | MOSFET N-CH 500V 15A TO263 | 1578 注文の詳細 |
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IRL2505STRLPBF | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | 1714 注文の詳細 |
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PSMN013-100YSEX | MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56 | 893 注文の詳細 |
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SI5459DU-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 8A PPAK | 7237 注文の詳細 |
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IXTA3N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | 995 注文の詳細 |
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SUD08P06-155L-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | 996 注文の詳細 |
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IPA60R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 1047 注文の詳細 |
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APT20M20LFLLG | MOSFET N-CH 200V 100A TO264 | 926 注文の詳細 |
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FDMC7672 | MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP | 106674 注文の詳細 |
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STP21N65M5 | MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB | 4232 注文の詳細 |
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STF14NM50N | MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP | 2180 注文の詳細 |
在庫あり | 70981 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.30000 | $0.3 |
2500 | $0.28645 | $716.125 |
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