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| 部品番号 | AUIRFS8407TRL |
| LIXINC Part # | AUIRFS8407TRL |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AUIRFS8407TRL PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AUIRFS8407TRL |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | HEXFET® |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 195A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 150µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 225 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 7.33 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 230W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SPW11N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 846 注文の詳細 |
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C3M0025065D | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | 1249 注文の詳細 |
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BUK964R2-60E,118 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 871 注文の詳細 |
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IXTY8N65X2 | MOSFET N-CH 650V 8A TO252 | 890 注文の詳細 |
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STE139N65M5 | MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP | 924 注文の詳細 |
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RCJ300N20TL | MOSFET N-CH 200V 30A LPTS | 1654 注文の詳細 |
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SI7454DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 | 955 注文の詳細 |
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BUK9Y53-100B,115 | MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK56 | 881 注文の詳細 |
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IXFH15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD | 1286 注文の詳細 |
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SI7489DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | 13763 注文の詳細 |
| 在庫あり | 18618 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.53000 | $1.53 |
| 800 | $1.53000 | $1224 |
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