参考まで
部品番号 | R6004JNJGTL |
LIXINC Part # | R6004JNJGTL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 4A LPTS |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | R6004JNJGTL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | R6004JNJGTL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.43Ohm @ 2A, 15V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 7V @ 450µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 10.5 nC @ 15 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 260 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 60W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | LPTS |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RDD022N50TL | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | 852 注文の詳細 |
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APT106N60LC6 | MOSFET N-CH 600V 106A TO264 | 1089 注文の詳細 |
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TPN6R003NL,LQ | MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV | 811 注文の詳細 |
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RM80N80T2 | MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220-3 | 916 注文の詳細 |
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IPB04N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 | 1251 注文の詳細 |
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STF130N10F3 | MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP | 839 注文の詳細 |
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IXFT30N85XHV | MOSFET N-CH 850V 30A TO268 | 1740 注文の詳細 |
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DMN3071LFR4-7R | MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN | 912 注文の詳細 |
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SFR9024TM | MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK | 882 注文の詳細 |
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IPP80N04S4L04AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 | 983 注文の詳細 |
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IPB048N15N5ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 | 896 注文の詳細 |
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IRF820APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB | 1937 注文の詳細 |
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BSZ130N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON | 5100 注文の詳細 |
在庫あり | 11905 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.03000 | $2.03 |
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