G3R160MT12J

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部品番号 G3R160MT12J
LIXINC Part # G3R160MT12J
メーカー GeneSiC Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル G3R160MT12J PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

G3R160MT12J 仕様

部品番号:G3R160MT12J
ブランド:GeneSiC Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:GeneSiC Semiconductor
シリーズ:G3R™
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:22A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):15V
(最大) @ id、vgs の rds:192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (最大) @ ID:2.69V @ 5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:28 nC @ 15 V
vgs (最大):±15V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:730 pF @ 800 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):128W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-263-7
パッケージ・ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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