参考まで
部品番号 | G3R160MT12J |
LIXINC Part # | G3R160MT12J |
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | G3R160MT12J PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | G3R160MT12J |
ブランド: | GeneSiC Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
シリーズ: | G3R™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 22A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 192mOhm @ 10A, 15V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.69V @ 5mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28 nC @ 15 V |
vgs (最大): | ±15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 730 pF @ 800 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 128W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-263-7 |
パッケージ・ケース: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
XP232N03013R-G | MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3 | 3897 注文の詳細 |
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STP5NK80ZFP | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP | 951 注文の詳細 |
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FDS3672 | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC | 1941 注文の詳細 |
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IXTH500N04T2 | MOSFET N-CH 40V 500A TO247 | 994 注文の詳細 |
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2SK2084L-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1865 注文の詳細 |
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APT10050B2VFRG | MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX | 811 注文の詳細 |
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SSM6J771G,LF | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP | 970 注文の詳細 |
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NTP7D3N15MC | MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220 | 1541 注文の詳細 |
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FDS4410 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | 75624 注文の詳細 |
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FDWS9508L-F085 | MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN | 5516 注文の詳細 |
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BUZ32 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB | 1389 注文の詳細 |
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NVTFS4C13NTWG | MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN | 10840 注文の詳細 |
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UPA651TT-E1-A | MOSFET P-CH 20V 5A 6WSOF | 15818 注文の詳細 |
在庫あり | 11326 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.73000 | $7.73 |
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