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部品番号 | TPH1110ENH,L1Q |
LIXINC Part # | TPH1110ENH,L1Q |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | TPH1110ENH,L1Q PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 01 - Jul 05 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | TPH1110ENH,L1Q |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | U-MOSVIII-H |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 200µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 600 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOP Advance (5x5) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
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BSS123W | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 | 1752 注文の詳細 |
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PHB45NQ10T,118 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | 5302 注文の詳細 |
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NTLUS4930NTBG | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN | 39864 注文の詳細 |
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IPB80N04S306ATMA1 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 923 注文の詳細 |
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IPN70R360P7SATMA1 | MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 | 981 注文の詳細 |
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IXTA170N075T2 | MOSFET N-CH 75V 170A TO263 | 2938 注文の詳細 |
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2N7002KT1G | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 | 884 注文の詳細 |
在庫あり | 10905 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.66128 | $0.66128 |
5000 | $0.66128 | $3306.4 |
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