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部品番号 | BUK9E15-60E,127 |
LIXINC Part # | BUK9E15-60E,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK9E15-60E,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BUK9E15-60E,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 54A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 13mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20.5 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.651 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 96W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
FDMS8660AS | MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN | 135337 注文の詳細 |
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IPB054N06N3G | IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | 898 注文の詳細 |
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IPD50N03S207ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 51177 注文の詳細 |
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NVMFS5C466NLT1G | MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN | 833 注文の詳細 |
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NTB5412NT4G | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | 24046 注文の詳細 |
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BUK7M20-40HX | MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 | 981 注文の詳細 |
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IPA105N15N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP | 927 注文の詳細 |
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IRLB4030PBF | MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB | 7113 注文の詳細 |
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AOY66923 | MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B | 4015 注文の詳細 |
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FDZ197PZ | 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET | 30315 注文の詳細 |
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STD16NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK | 914 注文の詳細 |
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TSM60NB900CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 | 14221 注文の詳細 |
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FDN86246 | MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3 | 12794 注文の詳細 |
在庫あり | 10930 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37000 | $0.37 |
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