FDFMA2P853

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部品番号 FDFMA2P853
LIXINC Part # FDFMA2P853
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FDFMA2P853 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Aug 15 - Aug 19 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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FDFMA2P853 仕様

部品番号:FDFMA2P853
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:PowerTrench®
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:3A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.8V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:6 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:435 pF @ 10 V
フェチ機能:Schottky Diode (Isolated)
消費電力 (最大):1.4W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:6-MicroFET (2x2)
パッケージ・ケース:6-VDFN Exposed Pad

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