参考まで
部品番号 | FDFMA2P853 |
LIXINC Part # | FDFMA2P853 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDFMA2P853 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Aug 15 - Aug 19 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | FDFMA2P853 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 435 pF @ 10 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力 (最大): | 1.4W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-MicroFET (2x2) |
パッケージ・ケース: | 6-VDFN Exposed Pad |
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在庫あり | 2157055 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.34000 | $0.34 |
3000 | $0.13669 | $410.07 |
6000 | $0.12726 | $763.56 |
15000 | $0.12255 | $1838.25 |
30000 | $0.11998 | $3599.4 |
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