参考まで
| 部品番号 | BTS131E3045ANTMA1 |
| LIXINC Part # | BTS131E3045ANTMA1 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BTS131E3045ANTMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BTS131E3045ANTMA1 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FQB6N70TM | MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK | 4266 注文の詳細 |
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UJ3C065030T3S | MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 | 1240 注文の詳細 |
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SPB21N50C3ATMA1 | MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3 | 1866 注文の詳細 |
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IRFB4019PBF | MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB | 2925 注文の詳細 |
 |
2SK1934-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1459 注文の詳細 |
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SI4174DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 17A 8SO | 5064 注文の詳細 |
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APT6013LLLG | MOSFET N-CH 600V 43A TO264 | 929 注文の詳細 |
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NTD4804NA-35G | MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK | 3164 注文の詳細 |
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SI3443CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP | 8619 注文の詳細 |
 |
IRFPC50APBF | MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | 972 注文の詳細 |
 |
SFW9Z24TM | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2523 注文の詳細 |
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FDMC007N08LC | MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN | 895 注文の詳細 |
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RM17N800T2 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 | 871 注文の詳細 |
| 在庫あり | 19864 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.88000 | $6.88 |
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