参考まで
部品番号 | NTE2389 |
LIXINC Part # | NTE2389 |
メーカー | NTE Electronics, Inc. |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTE2389 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTE2389 |
ブランド: | NTE Electronics, Inc. |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | NTE Electronics, Inc. |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bag |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 45mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | 30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2000 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 125W (Ta) |
動作温度: | 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
PSMN2R6-60PS127 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 950 注文の詳細 |
|
SI1031R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A | 2582 注文の詳細 |
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IRFR3411TRPBF | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | 845 注文の詳細 |
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RSQ015N06TR | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 | 3263 注文の詳細 |
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UPA621TT-E1-A | MOSFET N-CH 20V 5A 6WSOF | 30876 注文の詳細 |
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SSM3K344R,LF | MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F | 9512 注文の詳細 |
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FCH190N65F-F085 | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3 | 1140 注文の詳細 |
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APT5024SLLG/TR | MOSFET N-CH 500V 22A D3PAK | 896 注文の詳細 |
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SCT3160KLHRC11 | SICFET N-CH 1200V 17A TO247N | 1261 注文の詳細 |
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IPW65R029CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3 | 837 注文の詳細 |
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IPD60R180P7SE8228AUMA1 | MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 | 910 注文の詳細 |
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DMT35M7LFV-7 | MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 | 889 注文の詳細 |
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BUK762R9-40E,118 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 1026 注文の詳細 |
在庫あり | 11169 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.67000 | $7.67 |
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