参考まで
部品番号 | IPN70R450P7SATMA1 |
LIXINC Part # | IPN70R450P7SATMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPN70R450P7SATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | IPN70R450P7SATMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | CoolMOS™ P7 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 700 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 450mOhm @ 2.3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 120µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13.1 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 424 pF @ 400 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 7.1W (Tc) |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223 |
パッケージ・ケース: | TO-261-3 |
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NTD4910N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK | 12412 注文の詳細 |
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FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK | 830055806 注文の詳細 |
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RD3P050SNTL1 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | 1758 注文の詳細 |
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PSMN3R2-30YLC,115 | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF | 2223 注文の詳細 |
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FDD5810 | MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK | 1407 注文の詳細 |
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BSS84AKVL | MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | 896 注文の詳細 |
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SI4455DY-T1-E3 | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO | 3935 注文の詳細 |
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RCJ450N20TL | MOSFET N-CH 200V 45A LPTS | 1442 注文の詳細 |
在庫あり | 13318 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.95000 | $0.95 |
3000 | $0.42990 | $1289.7 |
6000 | $0.40341 | $2420.46 |
15000 | $0.39016 | $5852.4 |
30000 | $0.38293 | $11487.9 |
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