ISP25DP06NMXTSA1

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部品番号 ISP25DP06NMXTSA1
LIXINC Part # ISP25DP06NMXTSA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル ISP25DP06NMXTSA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jun 29 - Jul 03 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ISP25DP06NMXTSA1 仕様

部品番号:ISP25DP06NMXTSA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:1.9A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 270µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:10.8 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:420 pF @ 30 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-SOT223-4
パッケージ・ケース:TO-261-4, TO-261AA

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