MVB50P03HDLT4G

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部品番号 MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part # MVB50P03HDLT4G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MVB50P03HDLT4G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MVB50P03HDLT4G 仕様

部品番号:MVB50P03HDLT4G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
パッケージ:Bulk
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:50A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):5V
(最大) @ id、vgs の rds:25mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (最大) @ ID:2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:100 nC @ 5 V
vgs (最大):±15V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4.9 nF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):125W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:D2PAK-3
パッケージ・ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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