IRF6620TR1PBF

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部品番号 IRF6620TR1PBF
LIXINC Part # IRF6620TR1PBF
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRF6620TR1PBF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 09 - Jul 13 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF6620TR1PBF 仕様

部品番号:IRF6620TR1PBF
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:27A (Ta), 150A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:2.7mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.45V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:42 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4130 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:DIRECTFET™ MX
パッケージ・ケース:DirectFET™ Isometric MX

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