SIR888DP-T1-GE3

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部品番号 SIR888DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR888DP-T1-GE3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SIR888DP-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 20 - Sep 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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SIR888DP-T1-GE3 仕様

部品番号:SIR888DP-T1-GE3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:TrenchFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:40A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:3.25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:120 nC @ 10 V
vgs (最大):±16V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:5065 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):5W (Ta), 48W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース:PowerPAK® SO-8

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