H5N2522LSTL-E

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部品番号 H5N2522LSTL-E
LIXINC Part # H5N2522LSTL-E
メーカー Renesas Electronics America
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル H5N2522LSTL-E PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

H5N2522LSTL-E 仕様

部品番号:H5N2522LSTL-E
ブランド:Renesas Electronics America
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Renesas Electronics America
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):250 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:20A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:-
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:47 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1300 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):75W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:4-LDPAK
パッケージ・ケース:SC-83

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