参考まで
部品番号 | HAT2197R-EL-E |
LIXINC Part # | HAT2197R-EL-E |
メーカー | Renesas Electronics America |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | HAT2197R-EL-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 02 - Jul 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | HAT2197R-EL-E |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.7mOhm @ 8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 18 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2650 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOP |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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STB12NM60N-1 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | 894 注文の詳細 |
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IRFSL23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO262 | 946 注文の詳細 |
在庫あり | 10961 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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