HAT2279H-EL-E

HAT2279H-EL-E
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部品番号 HAT2279H-EL-E
LIXINC Part # HAT2279H-EL-E
メーカー Renesas Electronics America
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル HAT2279H-EL-E PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HAT2279H-EL-E 仕様

部品番号:HAT2279H-EL-E
ブランド:Renesas Electronics America
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Renesas Electronics America
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:30A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:-
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:60 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:3520 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):25W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:LFPAK
パッケージ・ケース:SC-100, SOT-669

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