IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1
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部品番号 IPB120N06S4H1ATMA1
LIXINC Part # IPB120N06S4H1ATMA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IPB120N06S4H1ATMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IPB120N06S4H1ATMA1 仕様

部品番号:IPB120N06S4H1ATMA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Discontinued at Digi-Key
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:120A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:2.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:270 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:21900 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):250W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TO263-3-2
パッケージ・ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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