IPB12CNE8N G

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部品番号 IPB12CNE8N G
LIXINC Part # IPB12CNE8N G
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IPB12CNE8N G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB12CNE8N G 仕様

部品番号:IPB12CNE8N G
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):85 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:67A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:12.9mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 83µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:64 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4340 pF @ 40 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):125W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:D²PAK (TO-263AB)
パッケージ・ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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