SI4435DYPBF

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部品番号 SI4435DYPBF
LIXINC Part # SI4435DYPBF
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SI4435DYPBF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI4435DYPBF 仕様

部品番号:SI4435DYPBF
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Tube
部品の状態:Discontinued at Digi-Key
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:8A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:20mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:60 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2320 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2.5W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SO
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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