A1P50S65M2

A1P50S65M2
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部品番号 A1P50S65M2
LIXINC Part # A1P50S65M2
メーカー STMicroelectronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - IGBT - モジュール
説明 IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル A1P50S65M2 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A1P50S65M2 仕様

部品番号:A1P50S65M2
ブランド:STMicroelectronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - IGBT - モジュール
メーカー:STMicroelectronics
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
IGBTタイプ:Trench Field Stop
構成:Three Phase Inverter
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):650 V
電流 - コレクター (ic) (最大):50 A
パワー - 最大:208 W
vce(on) (最大) @ vge、ic:2.3V @ 15V, 50A
電流 - コレクタ カットオフ (最大):100 µA
入力容量 (cies) @ vce:4150 pF @ 25 V
入力:Standard
NTCサーミスタ:Yes
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Chassis Mount
パッケージ・ケース:Module
サプライヤー デバイス パッケージ:ACEPACK™ 1

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