参考まで
部品番号 | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
LIXINC Part # | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - IGBT - モジュール |
説明 | IGBT MODULE 1700V 4150W |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FF650R17IE4DB2BOSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - IGBT - モジュール |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
IGBTタイプ: | - |
構成: | 2 Independent |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大): | 1700 V |
電流 - コレクター (ic) (最大): | - |
パワー - 最大: | 4150 W |
vce(on) (最大) @ vge、ic: | 2.45V @ 15V, 650A |
電流 - コレクタ カットオフ (最大): | 5 mA |
入力容量 (cies) @ vce: | 54 nF @ 25 V |
入力: | Standard |
NTCサーミスタ: | Yes |
動作温度: | -40°C ~ 150°C |
取付タイプ: | Chassis Mount |
パッケージ・ケース: | Module |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Module |
FP30R06W1E3B11BOMA1 | IGBT MODULE 600V 37A 115W | 816 注文の詳細 |
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GSID200A120S5C1 | IGBT MODULE 1200V 335A | 833 注文の詳細 |
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F3L400R07ME4B22BOSA1 | F3L400R07 - IGBT MODULE | 1005 注文の詳細 |
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F3L75R12W1H3B27BOMA1 | IGBT MOD 1200V 45A 275W | 835 注文の詳細 |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | IGBT MOD 650V 40A 20MW | 924 注文の詳細 |
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APT75GP120JDQ3 | IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP | 1373 注文の詳細 |
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FF225R17ME4B11BOSA1 | IGBT MOD 1700V 340A 1500W | 841 注文の詳細 |
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | IGBT MODULE LOW POWER EASY | 1000 注文の詳細 |
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APTGL120TA120TPG | IGBT MODULE 1200V 140A 517W SP6P | 994 注文の詳細 |
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FS450R12OE4PBOSA1 | FS450R12 - IGBT MODULE | 933 注文の詳細 |
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IXGN82N120B3H1 | IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B | 845 注文の詳細 |
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F4100R17N3E4BPSA1 | LOW POWER ECONO | 825 注文の詳細 |
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DDB6U180N16RRB37BOSA1 | IGBT MODULE | 950 注文の詳細 |
在庫あり | 10841 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $763.20333 | $763.20333 |
3 | $707.69683 | $2123.09049 |
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