FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1
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部品番号 FF200R12KE3B2HOSA1
LIXINC Part # FF200R12KE3B2HOSA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - IGBT - モジュール
説明 IGBT MOD 1200V 295A 1050W
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FF200R12KE3B2HOSA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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FF200R12KE3B2HOSA1 仕様

部品番号:FF200R12KE3B2HOSA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - IGBT - モジュール
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
IGBTタイプ:-
構成:Half Bridge
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):1200 V
電流 - コレクター (ic) (最大):295 A
パワー - 最大:1050 W
vce(on) (最大) @ vge、ic:2.15V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ カットオフ (最大):5 mA
入力容量 (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
入力:Standard
NTCサーミスタ:No
動作温度:-40°C ~ 125°C
取付タイプ:Chassis Mount
パッケージ・ケース:Module
サプライヤー デバイス パッケージ:Module

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