HGTP5N120BND

HGTP5N120BND
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部品番号 HGTP5N120BND
LIXINC Part # HGTP5N120BND
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - IGBT - シングル
説明 IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル HGTP5N120BND PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HGTP5N120BND 仕様

部品番号:HGTP5N120BND
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - IGBT - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tube
部品の状態:Not For New Designs
IGBTタイプ:NPT
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):1200 V
電流 - コレクター (ic) (最大):21 A
電流 - コレクタパルス (icm):40 A
vce(on) (最大) @ vge、ic:2.7V @ 15V, 5A
パワー - 最大:167 W
スイッチングエネルギー:450µJ (on), 390µJ (off)
入力方式:Standard
ゲートチャージ:53 nC
td (オン/オフ) @ 25°c:22ns/160ns
試験条件:960V, 5A, 25Ohm, 15V
逆回復時間 (trr):65 ns
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
パッケージ・ケース:TO-220-3
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-220-3

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